何謂 CAS 延遲？DDR5 延遲詳解

購買 DRAM 時，您會看到有關其時序的資訊，例如 34-42-42-96 或 40-40-40-77。這些數字代表 DRAM 套件的延遲，而這些設定儲存於記憶體模組上一個稱為 SPD（序列存在偵測）的晶片中，因此您可能會同時看到這些字母。 通常只有第一個數字會被標示為「C」、「CL」或「CAS」，但 CAS 延遲究竟代表什麼？DRAM 套件的 CAS 延遲又會對其效能產生什麼影響？

DRAM 模組的 CAS（列位址選通訊號）延遲，是指該模組存取其某一行中的特定資料集，並將其提供給輸出端所需耗費的「時鐘週期」數量。

從較淺顯的角度來看，這指的是 DRAM 需要多少個時脈週期才能輸出 CPU 所調用的資料。舉例來說，CAS 延遲為 34 的 DRAM 套件，需要 34 個 RAM 時脈週期才能完成這項任務。在相同的 DRAM 頻率下，CAS 延遲越低，完成這項任務的速度就越快。

雖然 DRAM 的頻率能告訴您它每秒能進行多少百萬次傳輸（1,000,000 次資料傳輸），但（以DDR5-7200 記憶體模組為例，其每秒可進行 7,200 百萬次傳輸）。

如前所述，CAS 延遲表示 RAM 傳送資料所需的總時鐘週期數，但若要更準確地了解該 DRAM 的整體延遲，應將每個時鐘週期的持續時間一併納入考量。

雖然 DDR5 記憶體是較新的規格，其儲存密度與電源效率均優於 DDR4，但其 CAS 延遲通常較高。DDR4 的 CAS 延遲通常為 16，而 DDR5 的 CAS 延遲則至少為 32。然而，由於時脈速度更快，這項新標準的整體效能更佳。

所幸，CORSAIR 生產的DDR4和DDR5 記憶體，幾乎涵蓋了您可能需要的各種容量與速度組合。如果您需要一些指引，我們的記憶體相容性檢查工具可以協助您找到合適的選擇。

這些數字所代表的運算如下：CL-tRCD-tRP-tRAS-CMD。要理解這些運算，請記住記憶體在內部是以矩陣形式組織的。資料正是儲存於行與列的交點處。

• CL：CAS 延遲。指處理器向記憶體請求資料，直至資料返回之間所需的時脈週期數。
• tRCD：RAS 至 CAS 延遲。從行（RAS）被觸發到資料在矩陣中儲存的欄（CAS）被觸發之間所需的時脈週期數。
• tRP：RAS 預充電。從禁用對某一行資料的存取，到開始存取另一行資料之間所需的週期數。
• tRAS：有效信號至預充電延遲。指記憶體必須等待多長時間，才能發起下一次記憶體存取請求。
• CMD：指令週期。指從記憶體晶片被啟用，到可向該記憶體傳送第一條指令之間所需的時間。有時此數值並未公開。通常為 T1（1 個時脈週期）或 T2（2 個時脈週期）。

若您正在尋找效能最佳的記憶體，就必須選擇頻率高、CAS 值與時序數值低的產品。

每一代 CPU 都有其記憶體頻率的最佳範圍；以此為基準，尋找 CAS 值較低的記憶體套件，便能為該特定 CPU 找到最適合的記憶體。

對於希望從每項產品中獲得最佳效能的使用者而言，您應選擇頻率最高、CAS 值最低的記憶體套件。歡迎造訪我們的線上商店，選購種類繁多的 DDR4 及 DDR5 記憶體，提供各式各樣的時序與延遲選項。