Твердотельный накопитель Force Series MP510 M.2, 1920 ГБ (восстановленный)

Твердотельный накопитель CORSAIR Force MP510 NVMe PCIe Gen3 x4 M.2 обладает невероятной производительностью, а его молниеносная скорость считывания достигает 3480 МБ/с.

SKU: CSSD-F1920GBMP510-RF2

Обзор
Технические характеристики
Загрузки
Гиды

NVME УСКОРИТ ВЫПОЛНЕНИЕ ЛЮБОЙ ЗАДАЧИ

НЕВЕРОЯТНАЯ ПРОИЗВОДИТЕЛЬНОСТЬ НАКОПИТЕЛЯ

Абсолютно новый контроллер, обеспечивающий высокую производительность при обработке данных, выполняет последовательное считывание со скоростью до 3480 МБ/с и последовательную запись со скоростью до 3000 МБ/с — время, затрачиваемое на считывание, запись и отклик, пролетает мгновенно.

ВЫСОКОСКОРОСТНОЙ ИНТЕРФЕЙС NVME PCIE GEN3x4 M.2

Обеспечивает простое подключение и максимальную пропускную способность.

ТЕХНОЛОГИЯ ВЫСОКОЙ ПЛОТНОСТИ 3D TLC NAND

Обеспечивает идеальное сочетание производительности, долговечности и цены для максимально эффективной работы накопителя в течение многих лет.

КОМПАКТНЫЙ ФОРМ-ФАКТОР M.2 2280

Благодаря сверхкомпактному размеру устройство M.2 2280 можно устанавливать как в ноутбук, так и на материнскую плату без дополнительных кабелей или разъемов.

Технические характеристики

Storage Form Factor	M.2 SSD
SSD Max Sequential Write CDM	Up to 2,700 MB/s
SSD Max Sequential Read CDM	Up to 3,480MB/s
Max Random Read QD32 IOMeter	Up to 500K IOPS

Max Random Write QD32 IOMeter	Up to 530K IOPS
Interface	PCIE* 3 x 4
Weight	0.03kg

Емкость: 1 ГБ — это 1 миллиард байт. Часть указанного пространства на флэш-накопителе, используемая для форматирования, недоступна для хранения данных. Действительный объем доступного для хранения пространства меньше, чем значение, указанное на продуктах.
Производительность: Оценка производительности основана на внутреннем тестировании в CORSAIR на момент выпуска на рынок. Производительность зависит от платформы хоста, использования и других переменных факторов.
Показатель долговечности: Показатель долговечности основан на клиентской нагрузке по стандарту JEDEC JESD218. Долговечность и состояние отдельных накопителей зависят от фактического использования и могут быть меньше номинальной долговечности.